超导TO-220散热片

Description

超导TO-220半导体制冷专用氮化铝陶瓷双面渡铜绝缘散热片

定做超导TO220 绝缘散热片氮化铝双面渡铜半导体制冷用途陶瓷导热系数理论高达320/Wm·K氮化铝双面镀铜，金属化，线路板！

氮化铝导热陶瓷有着良好的导热性能广泛应用于：薄膜金属化基板广泛应用于混合集成电路互连基板、微波器件、光电通信、传感器、MCM等领域。包括光电器件基板、陶瓷载体、激光器载体、片式电容、片式功率分配器、传感器、叉指电容和螺旋电感等

AIN氮化铝,晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。化学组成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。为一种高温耐热材料。热膨胀系数（4.0-6.0）X10（-6）/℃。多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的极热。此外，氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性，特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。

性能指标

Ø(1)热导率高(约320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；

Ø(2)热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5-4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；

Ø(3)各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良；

Ø(4)机械性能好，抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常压烧结；

Ø(5)光传输特性好；

Ø(6)无毒

AlN陶瓷基片主要性能指标
性能内容	性能指标
热导率(W/m·k）	≥170
体积电阻率（Ω·cm）	＞1013
介电常数[1MHz,25℃]	9
介电损耗[1MHz,25℃]	3.8х10-4
抗电强度(KV/mm)	17
体积密度（g/cm3）	≥3.30
表面粗糙度Ra(μm)	0.3~0.5
热膨胀系数[20℃ to 300℃](10-6/℃)	4.6
抗弯强度(MPa)	320~330
弹性模量(GPa)	310~320
莫氏硬度	8
吸水率(%)	0
翘曲度(~/25(长度))	0.03~0.05
熔点	2500
外观/颜色	灰白色